Samsung Electronics ha presentado el primer módulo de memoria con una capacidad de 16 GB double data rate-4 (DDR4) diseñado para su uso en servidores de empresa.
Fabricado con un proceso de manufactura de 30 nm, el módulo DDR4 de alta densidad de Samsung consume aproximadamente un 40% menos de energía respecto a un módulo DDR3-1600 MHz @ 1.35V.
Samsung seguirá trabajando en la terminación JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) y la estandarización de las tecnologías y especificaciones de producto DDR4, que se espera llevar a cabo en agosto. La compañía también dijo que estrecharán lazos con sus clientes, incluyendo a fabricantes OEMs, así como responsables de CPUs y controladoras para ampliar el mercado base para sus módulos de alta densidad DDR4, los cuales se planean producir en masa el próximo año. También se prevé una expansión de la prima de mercado de la memoria global, alcanzando productos de memoria DRAM DDR4 @ 20 nm que estarán disponibles el próximo año en densidades de hasta 32 GB.
Con este anuncio Samsung continúa liderando el avance de la tecnología DRAM desde que desarrolló la primera DRAM DDR de la industria en 1997. En 2001 introdujo la primera memoria DRAM DDR2 y, en 2005, anunció la primera memoria DDR3 @ 80 nm.
