El Grafeno es uno de los materiales más prometedores para las nuevas generaciones de circuitos de integrados. Una hoja de carbón de solo un átomo de espesor, ofrece una buena conducción, flexibilidad, y otros parámetros deseables del material. Su uso podría permitir a los circuitos ser mas rápidos, más pequeños y de más bajo consumo. Uno de los problemas, sin embargo, ha sido que el aumento en el crecimiento del grafeno puede ser lento o irregular - en otras palabras, el material está listo para destacarse en la electrónica, pero sus técnicas de producción no.
Un significativo descubrimiento técnico podría ayudar a cambiar eso. Un equipo de investigadores "top" - Paolo Lacovig, Monica Pozzo, Darío Alfe, Paolo Vilmercati, Alessandro Baraldi, y Silvano Lizzit en instituciones de Italia, el Reino Unido y EE.UU. - han descubierto una idea interesante en como las capas de grafeno crecen en semiconductores.
El equipo utilizó una hoja de indio(In), un semiconductor de uso frecuente en la industria solar, y expandieron una capa de grafeno en la parte superior de la misma. Anteriormente se desconocía con exactitud cómo la capa de grafeno se formaba, pero la nueva investigación proporciona una buena idea.
El carbono se deposita en anillos concéntricos de los átomos. Los átomos en el perímetro se adhieren fuertemente al semiconductor, pero los átomos en el interior no lo hacen. Esto hace que el deposito en forma de circulo, "burbujeé" en forma de una pequeña cúpula geodésica.
Más importante aún, los investigadores variaron los distintos parámetros para controlar el proceso de deposición, creando cúpulas que estaban en cualesquier lugar desde unos pocos nanómetros a unos pocos cientos de nanómetros. Este control es un aspecto particularmente interesante del trabajo, ya que muestra ser una promesa en la industria de la electrónica.
El trabajo sera publicado hoy en la revista Physical Review Letters.
Fte: Daily Tech
