Latencias Secundarias
Se utilizan para realizar los ajustes "finos" a la memoria, no influyen demasiado en el rendimiento final, pero juegan su papel importante en la estabilidad de la misma.
tRC (Row Cycle Time): determina el número mínimo de ciclos de reloj que una fila de memoria necesita para completar un ciclo completo, desde la activación de la fila a la precarga de la fila activa. No hay mucho que decir, actua como medida de seguridad par que una fila no se precargue demasiado pronto y se corrompan los datos. Se calcula con la formula:
tRC = tRAS + tRP.
Si tenemos un tRAS de 15 y un tRP de 5, el tRC sera de 20 +/- 1
tRRD (Row to Row Delay o RAS to RAS Delay): Determina la cantidad minima de ciclos necesaria para activar el siguiente banco de memoria.
Disminuirlo aumenta el rendimiento y aumentarlo ayuda a la estabilidad.
tRFC (Row Refresh Cycle): Especifica cada cuantos ciclos una fila va a ser refrescada. Esto es necesario ya que si pasa demasiado tiempo la información almacenada en dicha fila puede corromperse o, en el peor de los casos, perderse.
tRW (Write Recovery Time): Indica la cantidad de ciclos requeridos después de efectuar una operación válida de lectura, luego un banco activo podra ser precargado. Se utiliza como medida de seguridad, para asegurar que un dato se haya escrito correctamente.
tRTW/tRWT (Read to Write Delay): Se produce cuando se recibe un comando de escritura, y determina la cantidad de tiempo que se le va a dedicar a esa operación en concreto.
TWTR (Write to Read Delay):. La cantidad de ciclos que se necesita que transcurran entre un comando de escritura válida y el comando de lectura siguiente.
tREF (Refresh Rate): De manera similar a tRFC, este se encarga de realizar un refresco a todos los chips de memoria, en vez de a solamente una fila. Se mide en MicroSegundo (tRFC funciona a nanosegundos)
